MOSFET IXYS canal N, SOT-227 61 A 500 V, 4 broches

Name: MOSFET IXYS canal N, SOT-227 61 A 500 V, 4 broches
Brand: IXYS
SKU: 194-568
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Documentation technique

Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS

Transistors MOSFET, IXYS

Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	61 A
Tension Drain Source maximum	500 V
Série	HiperFET, Polar
Type de boîtier	SOT-227
Type de montage	Montage à visser
Nombre de broches	4
Résistance Drain Source maximum	85 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	5.5V
Dissipation de puissance maximum	700 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Charge de Grille type @ Vgs	150 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Matériau du transistor	Si
Largeur	25.42mm
Longueur	38.23mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Hauteur	9.6mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C