MOSFET canal N Infineon 381 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PG-WSON-8 OptiMOS

Le MOSFET de puissance OptiMOS d'Infineon est conçu pour fournir des performances exceptionnelles, ce qui en fait un choix idéal pour les applications industrielles. Conçu avec un boîtier à double refroidissement latéral, ce dispositif excelle dans la résistance thermique, garantissant des performances optimales même dans des conditions exigeantes. Ce MOSFET est entièrement qualifié selon les normes JEDEC, ce qui souligne sa fiabilité et sa stabilité. Avec une température de fonctionnement maximale de 175°C, il prend en charge des plages opérationnelles étendues, ce qui le rend adapté à diverses applications nécessitant des performances robustes. Des caractéristiques électriques complètes valident sa conception pour le redressement synchrone, garantissant qu'il s'agit d'une solution d'avant-garde pour les demandes électroniques modernes.

Double refroidissement latéral pour une meilleure efficacité thermique