MOSFET canal N Infineon 56 A 150 V Enrichissement, 8 broches, PG-WSON-8 OptiMOS
- Code commande RS:
- 284-650
- Référence fabricant:
- BSC160N15NS5SCATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*
5 040,00 €
HT
6 040,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 28 septembre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 + | 1,26 € | 5 040,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 284-650
- Référence fabricant:
- BSC160N15NS5SCATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 56A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de Boitier | PG-WSON-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 16mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 115W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 56A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Série OptiMOS | ||
Type de Boitier PG-WSON-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 16mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 115W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET de puissance OptiMOS d'Infineon est conçu pour fournir des performances exceptionnelles dans les applications de commutation haute fréquence. Avec une valeur nominale robuste de 150 V, il sert de solution fiable pour l'électronique industrielle et automobile. Le boîtier PG WSON 8 à refroidissement sur deux côtés garantit une résistance thermique minimale, ce qui permet une dissipation efficace de la chaleur même dans des conditions de charge lourde. Conçu pour le fonctionnement sur canal N, ce transistor MOSFET excelle en rectification synchrone, ce qui le rend idéal pour les tâches de gestion de l'alimentation où l'efficacité et la fiabilité sont primordiales. Les fabricants peuvent faire confiance à ce composant pour répondre aux exigences strictes, fournissant des performances efficaces et stables dans les environnements exigeants.
Optimisé pour un fonctionnement haute fréquence
Le refroidissement à double face abaisse la résistance thermique
Placage en plomb sans plomb pour la conformité RoHS
Les excellentes performances de charge de la grille améliorent l'efficacité
Idéal pour les applications de redressement synchrone
Fonctionne à des températures élevées sans perte d'efficacité
Qualifié conformément aux normes JEDEC pour l'industrie
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 56 A 150 V Enrichissement PG-WSON-8 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 381 A 40 V Enrichissement PG-WSON-8 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 171 A 100 V Enrichissement PG-WSON-8 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 77 A 150 V Enrichissement PG-WSON-8 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 89 A 150 V Enrichissement PG-WSON-8 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 144 A 80 V Enrichissement PG-WSON-8 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 99 A 80 V Enrichissement PG-WHSON-8 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 132 A 60 V Enrichissement PG-WHSON-8 OptiMOS