MOSFET canal N Infineon 89 A 150 V Enrichissement, 8 broches, PG-WSON-8 OptiMOS

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Code commande RS:
284-645
Référence fabricant:
BSC093N15NS5SCATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

89A

Tension Drain Source maximum Vds

150V

Type de Boitier

PG-WSON-8

Série

OptiMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

9.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

167W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance OptiMOS d'Infineon est un transistor MOSFET de canal N hautes performances conçu pour les applications exigeantes nécessitant un rendement optimal. Avec une tension de fonctionnement jusqu'à 150 V et des performances thermiques exceptionnelles. Conçu avec la technologie de refroidissement double face, il fournit une résistance thermique exceptionnelle, garantissant ainsi un fonctionnement fiable même dans des conditions difficiles. L'intégration d'éléments de conception innovants réduit la résistance et améliore l'efficacité globale des systèmes de gestion de l'alimentation. Idéal pour les applications industrielles, sa construction robuste garantit une longue durée de vie et des performances fiables.

Boîtier à refroidissement double face pour la gestion thermique

Excellent rendement énergétique pour une utilisation haute fréquence

Large plage de températures d'utilisation pour plus de fiabilité

La faible résistance à l'usure améliore l'efficacité énergétique

Vitesses de commutation rapides pour les applications d'alimentation avancées

Qualifié conformément aux normes JEDEC pour l'industrie

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