Name: MOSFET canal N Infineon 196 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
Brand: Infineon
SKU: 284-713
Price: 8.04 EUR
Availability: OutOfStock

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	196A
	Tension Drain Source maximum Vds	650V
	Type de Boitier	PG-HSOF-8
	Série	CoolSiC MOSFET 650 V G1
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	30mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	375W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	23V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	RoHS Compliant
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 196A
	Tension Drain Source maximum Vds 650V
	Type de Boitier PG-HSOF-8
	Série CoolSiC MOSFET 650 V G1
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 30mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 375W
	Tension maximale de source de la grille Vgs 23V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations RoHS Compliant
	Standard automobile Non

Le MOSFET CoolSiC 650 V G1 d'Infineon représente une avancée significative dans l'électronique de puissance, conçu avec la technologie de pointe du carbure de silicium pour améliorer les performances et la fiabilité. Ce dispositif innovant présente des caractéristiques de commutation optimisées, ce qui permet d'obtenir un rendement élevé dans les applications exigeantes. Il excelle dans les environnements difficiles, offrant une résistance à la chaleur et une fiabilité supérieures à celles des dispositifs en silicium traditionnels. Sa polyvalence permet une intégration transparente dans divers systèmes, notamment les télécommunications, les énergies renouvelables et la recharge des véhicules électriques. Conçu pour une gestion thermique exceptionnelle, il garantit des performances à long terme tout en réduisant l'encombrement global du système. Le transistor MOSFET CoolSiC est une solution idéale pour la conversion d'alimentation moderne, soutenant les efforts en faveur de conceptions économes en énergie et compactes.

Commutation optimisée pour l'efficacité du système

Compatible avec les configurations standard des conducteurs

Efficace dans les environnements à haute température

Pertes de commutation réduites avec la source Kelvin

Conception fiable de diodes à corps rapide

Prise en charge des topologies de commutation difficiles

Amélioration de l'efficacité et réduction des coûts

Qualifié selon les normes JEDEC

MOSFET canal N Infineon 196 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités