MOSFET canal N Infineon 196 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Code commande RS:
- 284-714
- Référence fabricant:
- IMT65R022M1HXUMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 284-714
- Référence fabricant:
- IMT65R022M1HXUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 196A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8 | |
| Série | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 30mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 196A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8 | ||
Série CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 30mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET CoolSiC 650 V G1 d'Infineon représente une avancée significative dans l'électronique de puissance, conçu avec la technologie de pointe du carbure de silicium pour améliorer les performances et la fiabilité. Ce dispositif innovant présente des caractéristiques de commutation optimisées, ce qui permet d'obtenir un rendement élevé dans les applications exigeantes. Il excelle dans les environnements difficiles, offrant une résistance à la chaleur et une fiabilité supérieures à celles des dispositifs en silicium traditionnels. Sa polyvalence permet une intégration transparente dans divers systèmes, notamment les télécommunications, les énergies renouvelables et la recharge des véhicules électriques. Conçu pour une gestion thermique exceptionnelle, il garantit des performances à long terme tout en réduisant l'encombrement global du système. Le transistor MOSFET CoolSiC est une solution idéale pour la conversion d'alimentation moderne, soutenant les efforts en faveur de conceptions économes en énergie et compactes.
Commutation optimisée pour l'efficacité du système
Compatible avec les configurations standard des conducteurs
Efficace dans les environnements à haute température
Pertes de commutation réduites avec la source Kelvin
Conception fiable de diodes à corps rapide
Prise en charge des topologies de commutation difficiles
Amélioration de l'efficacité et réduction des coûts
Qualifié selon les normes JEDEC
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