MOSFET canal N Infineon 61 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Code commande RS:
- 284-718
- Référence fabricant:
- IMT65R039M1HXUMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 284-718
- Référence fabricant:
- IMT65R039M1HXUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 61A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8 | |
| Série | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 51mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 263W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 41nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 61A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8 | ||
Série CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 51mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 263W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 41nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET CoolSiC 650 V G1 d'Infineon est un dispositif d'alimentation pionnier qui fournit des performances exceptionnelles en exploitant les propriétés avancées de la technologie au carbure de silicium. Conçu pour une efficacité et une fiabilité élevées, ce MOSFET excelle dans les applications exigeant une stabilité thermique exceptionnelle et des performances élevées dans des conditions difficiles. Avec une structure d'oxyde de grille innovante et un comportement de commutation supérieur, il réduit considérablement les pertes à des courants plus élevés, garantissant la longévité et la sécurité dans divers environnements électriques. Parfaitement adapté aux applications telles que les systèmes d'alimentation, les infrastructures de recharge pour véhicules électriques et les solutions d'énergie renouvelable, le MOSFET CoolSiC est une solution polyvalente qui répond aux exigences de l'électronique de puissance moderne. Ce dispositif témoigne de plus de 20 ans d'excellence en matière d'ingénierie et constitue une base solide pour les solutions énergétiques de la prochaine génération.
Une commutation optimisée améliore les performances
La diode de corps robuste assure une commutation fiable
Une excellente gestion thermique prolonge la durée de vie
Fonctionnement efficace à des températures élevées
Intégration transparente avec les pilotes standard
La source Kelvin réduit les pertes de commutation
Conforme aux normes JEDEC en matière de fiabilité
Polyvalent pour une densité de puissance accrue dans les conceptions
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