MOSFET canal N Infineon 59 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Code commande RS:
- 284-732
- Référence fabricant:
- IMT65R083M1HXUMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 284-732
- Référence fabricant:
- IMT65R083M1HXUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 59A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8 | |
| Série | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 111mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 158W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 59A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8 | ||
Série CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 111mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 158W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
The Infineon 650 V CoolSiC MOSFET is engineered with cutting edge silicon carbide technology, offering unmatched efficiency and reliability for demanding applications. This next generation component is designed to optimise performance across various high temperature and challenging operating environments. Its innovative design, refined over 20 years, effortlessly combines high operational reliability with user friendly integration. The increase in power density and reduction in system size makes it an Ideal choice for applications such as solar inverters, electric vehicle charging infrastructure, and energy storage solutions, allowing for seamless implementation in power supply systems.
Optimised switching behaviour enhances efficiency
Robust body diode ensures reliable commutation
Designed for high temperature operations
Simplified integration into existing circuits
Exceptional thermal performance for demanding environments
Superior avalanche capability for system safety
Significant reduction in switching losses
Ideal for high power density applications
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