MOSFET canal N Infineon 59 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Code commande RS:
- 284-732
- Référence fabricant:
- IMT65R083M1HXUMA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|
| 1 - 9 | 9,16 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 284-732
- Référence fabricant:
- IMT65R083M1HXUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 59A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8 | |
| Série | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 111mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 158W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 59A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8 | ||
Série CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 111mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 158W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET 650 V CoolSiC d'Infineon est conçu à partir de la technologie de pointe du carbure de silicium, offrant une efficacité et une fiabilité inégalées pour les applications exigeantes. Ce composant de nouvelle génération est conçu pour optimiser les performances à des températures élevées et dans des environnements difficiles. Sa conception innovante, affinée depuis plus de 20 ans, allie sans effort une grande fiabilité opérationnelle à une intégration conviviale. L'augmentation de la densité de puissance et la réduction de la taille du système en font un choix idéal pour les applications telles que les inverseurs solaires, l'infrastructure de charge de véhicules électriques et les solutions de stockage d'énergie, ce qui permet une mise en œuvre transparente dans les systèmes d'alimentation.
Un comportement de commutation optimisé améliore l'efficacité
La diode de corps robuste assure une commutation fiable
Conçu pour des opérations à haute température
Intégration simplifiée dans les circuits existants
Performance thermique exceptionnelle pour les environnements exigeants
Capacité d'avalanche supérieure pour la sécurité du système
Réduction significative des pertes de commutation
Idéal pour les applications à haute densité de puissance
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