MOSFET canal N Infineon 50 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Code commande RS:
- 284-723
- Référence fabricant:
- IMT65R048M1HXUMA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 284-723
- Référence fabricant:
- IMT65R048M1HXUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 50A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 64mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 227W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 33nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 50A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 64mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 227W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 33nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET CoolSiC 650V G1 d'Infineon incarne l'innovation dans la technologie des semi-conducteurs. Ce dispositif à haute performance s'appuie sur la technologie robuste du carbure de silicium, optimisant l'efficacité et la fiabilité pour les applications nécessitant des performances thermiques et une stabilité supérieures. Conçu spécifiquement pour les environnements exigeants, il excelle dans les opérations à haute température tout en simplifiant la conception des systèmes. Grâce à ses caractéristiques avancées, le transistor MOSFET garantit que les utilisateurs peuvent atteindre une excellente densité de puissance et économiser de l'espace, ce qui en fait un choix idéal pour une gamme d'applications, y compris l'infrastructure de charge de véhicule électrique, les inverseurs solaires et les alimentations efficaces. Le transistor MOSFET CoolSiC 650 V G1 est plus qu'un simple composant ; il incarne un engagement en faveur des performances et de la fiabilité, parfait pour les solutions électroniques modernes.
Optimisé pour les applications à haute fréquence
Performance thermique robuste pour les environnements difficiles
Fiabilité accrue pour une durée de vie prolongée
De faibles pertes de commutation améliorent l'efficacité
La conception compacte réduit l'encombrement du système
Capacité d'avalanche à la pointe de l'industrie pour la tolérance aux pannes
Intégration conviviale avec les pilotes standard
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