Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 59 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1

Code commande RS:: 284-730
Référence fabricant:: IMT65R083M1HXUMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 59 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1

Actuellement indisponible

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Code commande RS:: 284-730
Référence fabricant:: IMT65R083M1HXUMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum (Id)	59 A
	Tension Drain Source maximum (Vds)	650 V
	Mode de canal	Enrichissement
	Nombre de broches	8
	Type de Boitier	PG-HSOF-8
	Série	CoolSiC MOSFET 650 V G1
	Standard automobile	Non
	Résistance Drain Source maximum (Rds)	111 mΩ
	Tension maximale de source de la grille (Vgs)	23 V
	Température d'utilisation maximum	175 °C
	Dissipation de puissance maximum (Pd)	158 W
	Température minimum de fonctionnemen	-55 °C
	Type de montage	En surface
	Normes/homologations	RoHS Compliant

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum (Id) 59 A
	Tension Drain Source maximum (Vds) 650 V
	Mode de canal Enrichissement
	Nombre de broches 8
	Type de Boitier PG-HSOF-8
	Série CoolSiC MOSFET 650 V G1
	Standard automobile Non
	Résistance Drain Source maximum (Rds) 111 mΩ
	Tension maximale de source de la grille (Vgs) 23 V
	Température d'utilisation maximum 175 °C
	Dissipation de puissance maximum (Pd) 158 W
	Température minimum de fonctionnemen -55 °C
	Type de montage En surface
	Normes/homologations RoHS Compliant

Datasheet - IMT65R083M1HXUMA1

The Infineon 650 V CoolSiC MOSFET is engineered with cutting edge silicon carbide technology, offering unmatched efficiency and reliability for demanding applications. This next generation component is designed to optimise performance across various high temperature and challenging operating environments. Its innovative design, refined over 20 years, effortlessly combines high operational reliability with user friendly integration. The increase in power density and reduction in system size makes it an Ideal choice for applications such as solar inverters, electric vehicle charging infrastructure, and energy storage solutions, allowing for seamless implementation in power supply systems.

Optimised switching behaviour enhances efficiency

Robust body diode ensures reliable commutation

Designed for high temperature operations

Simplified integration into existing circuits

Exceptional thermal performance for demanding environments

Superior avalanche capability for system safety

Significant reduction in switching losses

Ideal for high power density applications

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