MOSFET N Infineon 63 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
285-050
Référence fabricant:
ISC104N12LM6ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

63A

Tension Drain Source maximum Vds

120V

Type de Boitier

PG-TDSON-8

Série

OptiMOS 6 Power Transistor

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

10.4mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

94W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

Le MOSFET d'Infineon est un transistor de puissance de premier plan conçu pour les applications à haut rendement. Avec ses caractéristiques de niveau logique de canal N avancé, il excelle en fournissant une très faible résistance d'activation, garantissant des économies d'énergie optimales pendant le fonctionnement. Le boîtier innovant SuperSO8 améliore la gestion thermique, ce qui le rend idéal pour les tâches de commutation à haute fréquence. Cet état du composant ART offre d'excellentes performances de charge de grille, réduisant de manière significative les pertes typiquement rencontrées dans les dispositifs moins sophistiqués. En outre, sa conformité aux réglementations RoHS et sans halogène garantit un engagement en faveur d'une technologie respectueuse de l'environnement.

Technologie à canal N pour des performances supérieures

La faible résistance à l'enclenchement réduit la perte de puissance

Conçu pour la commutation à haute fréquence

Conforme aux normes industrielles en matière de fiabilité

Sans RoHS ni halogène pour le respect de l'environnement

Gestion d'une énergie d'avalanche élevée pour plus de robustesse

Optimisé pour le redressement synchrone

Caractéristiques thermiques améliorées pour une meilleure dissipation de la chaleur

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