MOSFET canal N Infineon 63 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor
- Code commande RS:
- 285-050
- Référence fabricant:
- ISC104N12LM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,604 € | 13,02 € |
| 50 - 95 | 2,476 € | 12,38 € |
| 100 - 495 | 2,294 € | 11,47 € |
| 500 - 995 | 2,11 € | 10,55 € |
| 1000 + | 2,032 € | 10,16 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 285-050
- Référence fabricant:
- ISC104N12LM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 63A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 120V | |
| Série | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Type de Boitier | PG-TDSON-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 10.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 94W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 63A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 120V | ||
Série OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Type de Boitier PG-TDSON-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 10.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 94W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET d'Infineon est un transistor de puissance de premier plan conçu pour les applications à haut rendement. Avec ses caractéristiques de niveau logique de canal N avancé, il excelle en fournissant une très faible résistance d'activation, garantissant des économies d'énergie optimales pendant le fonctionnement. Le boîtier innovant SuperSO8 améliore la gestion thermique, ce qui le rend idéal pour les tâches de commutation à haute fréquence. Cet état du composant ART offre d'excellentes performances de charge de grille, réduisant de manière significative les pertes typiquement rencontrées dans les dispositifs moins sophistiqués. En outre, sa conformité aux réglementations RoHS et sans halogène garantit un engagement en faveur d'une technologie respectueuse de l'environnement.
Technologie à canal N pour des performances supérieures
La faible résistance à l'enclenchement réduit la perte de puissance
Conçu pour la commutation à haute fréquence
Conforme aux normes industrielles en matière de fiabilité
Sans RoHS ni halogène pour le respect de l'environnement
Gestion d'une énergie d'avalanche élevée pour plus de robustesse
Optimisé pour le redressement synchrone
Caractéristiques thermiques améliorées pour une meilleure dissipation de la chaleur
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