MOSFET P Infineon -59 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 OptiMOS Power Transistor
- Code commande RS:
- 285-053
- Référence fabricant:
- ISC240P06LMATMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,06 € | 15,30 € |
| 50 - 95 | 2,912 € | 14,56 € |
| 100 - 495 | 2,696 € | 13,48 € |
| 500 - 995 | 2,48 € | 12,40 € |
| 1000 + | 2,386 € | 11,93 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 285-053
- Référence fabricant:
- ISC240P06LMATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -59A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | OptiMOS Power Transistor | |
| Type de Boitier | PG-TDSON-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 24mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 188W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id -59A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série OptiMOS Power Transistor | ||
Type de Boitier PG-TDSON-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 24mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 188W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET Infineon est un MOSFET à canal P de pointe conçu pour offrir des performances exceptionnelles dans les applications de gestion de l'énergie. Doté d'une tension nominale de 60V, il excelle à la fois en termes de rendement élevé et de faible résistance, ce qui garantit une perte de puissance minimale pendant le fonctionnement. Sa conception robuste est testée à 100 % en avalanche, ce qui rassure les ingénieurs à la recherche de solutions fiables dans des environnements exigeants. Le transistor fonctionne au niveau logique, ce qui le rend adapté à une variété de scénarios de contrôle dans les applications industrielles.
Moulage par injection pour la gestion thermique
Fiabilité validée selon les normes JEDEC
Conformité RoHS pour le respect de l'environnement
Matériaux sans halogène pour la durabilité
Optimisé pour une efficacité de commutation à grande vitesse
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