MOSFET canal N Infineon 86 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor
- Code commande RS:
- 285-048
- Référence fabricant:
- ISC073N12LM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
17,34 €
HT
20,81 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 11 octobre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,468 € | 17,34 € |
| 50 - 95 | 3,29 € | 16,45 € |
| 100 + | 3,05 € | 15,25 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 285-048
- Référence fabricant:
- ISC073N12LM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 86A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 120V | |
| Type de Boitier | PG-TDSON-8 | |
| Série | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 7.3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 125W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 86A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 120V | ||
Type de Boitier PG-TDSON-8 | ||
Série OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 7.3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 125W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET d'Infineon est un transistor de puissance de canal N avancé qui excelle dans les applications de commutation haute fréquence. Conçue avec la technologie innovante OptiMOS 6, elle offre une efficacité et des performances exceptionnelles. Avec une faible résistance à l'enclenchement et une énergie d'avalanche élevée, ce composant est optimisé pour les applications industrielles exigeantes et garantit un fonctionnement fiable même dans des environnements thermiques difficiles. Son boîtier compact PG TDSON 8 améliore encore sa facilité d'utilisation, ce qui facilite l'intégration dans diverses conceptions. Le transistor fonctionne de manière transparente dans une large gamme de températures, ce qui facilite la polyvalence dans de nombreuses applications.
Conception à N canaux pour des performances accrues
Optimisé pour la commutation à haute fréquence
La faible résistance à l'usure augmente l'efficacité énergétique
L'indice d'avalanche élevé garantit la fiabilité
Le boîtier compact permet d'économiser de l'espace
Conforme à la directive RoHS pour plus de durabilité
MSL 1 pour une soudure facile
La diode interne du corps améliore la fonctionnalité
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 86 A 120 V Enrichissement PG-TDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor
- MOSFET P Infineon -19.6 A 60 V Enrichissement PG-TDSON-8 OptiMOS Power Transistor
- MOSFET P Infineon -59 A 60 V Enrichissement PG-TDSON-8 OptiMOS Power Transistor
- MOSFET P Infineon -32 A 100 V Enrichissement PG-TDSON-8 OptiMOS Power Transistor
- MOSFET P Infineon -22 A 150 V Enrichissement PG-TDSON-8 OptiMOS Power Transistor
- MOSFET canal N Infineon 63 A 120 V Enrichissement PG-TDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor
- MOSFET 1 canal N Infineon 163 A 120 V Enrichissement PG-TDSON-8 FL OptiMOS 6 Power Transistor Non
- MOSFET canal N Infineon 62 A 120 V Enrichissement PG-TSDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor