MOSFET canal N Infineon 86 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor
- Code commande RS:
- 285-048
- Référence fabricant:
- ISC073N12LM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 285-048
- Référence fabricant:
- ISC073N12LM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 86A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 120V | |
| Type de Boitier | PG-TDSON-8 | |
| Série | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 7.3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 125W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 86A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 120V | ||
Type de Boitier PG-TDSON-8 | ||
Série OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 7.3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 125W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET d'Infineon est un transistor de puissance de canal N avancé qui excelle dans les applications de commutation haute fréquence. Conçue avec la technologie innovante OptiMOS 6, elle offre une efficacité et des performances exceptionnelles. Avec une faible résistance à l'enclenchement et une énergie d'avalanche élevée, ce composant est optimisé pour les applications industrielles exigeantes et garantit un fonctionnement fiable même dans des environnements thermiques difficiles. Son boîtier compact PG TDSON 8 améliore encore sa facilité d'utilisation, ce qui facilite l'intégration dans diverses conceptions. Le transistor fonctionne de manière transparente dans une large gamme de températures, ce qui facilite la polyvalence dans de nombreuses applications.
Conception à N canaux pour des performances accrues
Optimisé pour la commutation à haute fréquence
La faible résistance à l'usure augmente l'efficacité énergétique
L'indice d'avalanche élevé garantit la fiabilité
Le boîtier compact permet d'économiser de l'espace
Conforme à la directive RoHS pour plus de durabilité
MSL 1 pour une soudure facile
La diode interne du corps améliore la fonctionnalité
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