MOSFET P Infineon -32 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 OptiMOS Power Transistor

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
285-055
Référence fabricant:
ISC750P10LMATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

-32A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

PG-TDSON-8

Série

OptiMOS Power Transistor

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

75mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

188W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET d'Infineon est un transistor MOSFET de puissance avancé conçu pour un rendement et une polyvalence optimaux dans les applications industrielles. Doté d'une configuration de canal P robuste, il offre une résistance de marche exceptionnellement faible et peut supporter un courant de vidange élevé, ce qui le rend adapté à une gamme de circuits électroniques exigeants. L'incorporation d'une commande de porte de niveau logique signifie qu'il fonctionne de manière transparente dans les systèmes à basse tension. Avec ses excellentes performances thermiques et ses valeurs nominales d'avalanche fiables, ce transistor de puissance est idéal pour les applications qui exigent durabilité et fiabilité sous contrainte continue. Sa conformité à la directive RoHS et son placage au plomb sans halogène renforcent encore son adéquation avec les conceptions respectueuses de l'environnement, offrant aux fabricants une tranquillité d'esprit sur un marché concurrentiel.

Performance de commutation exceptionnelle pour la gestion de l'énergie

fiabilité testée à 100 % en avalanche

Faible résistance thermique pour une dissipation efficace de la chaleur

Driver de niveau logique pour une interface de microcontrôleur facile

Plombage sans plomb pour le respect de l'environnement

Performances constantes dans une large gamme de températures

Optimisé pour les applications à grande vitesse

Prise en charge de courants nominaux d'impulsion élevés

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