MOSFET P Infineon -32 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 OptiMOS Power Transistor
- Code commande RS:
- 285-055
- Référence fabricant:
- ISC750P10LMATMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 285-055
- Référence fabricant:
- ISC750P10LMATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -32A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | PG-TDSON-8 | |
| Série | OptiMOS Power Transistor | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 75mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 188W | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id -32A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier PG-TDSON-8 | ||
Série OptiMOS Power Transistor | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 75mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 188W | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET d'Infineon est un transistor MOSFET de puissance avancé conçu pour un rendement et une polyvalence optimaux dans les applications industrielles. Doté d'une configuration de canal P robuste, il offre une résistance de marche exceptionnellement faible et peut supporter un courant de vidange élevé, ce qui le rend adapté à une gamme de circuits électroniques exigeants. L'incorporation d'une commande de porte de niveau logique signifie qu'il fonctionne de manière transparente dans les systèmes à basse tension. Avec ses excellentes performances thermiques et ses valeurs nominales d'avalanche fiables, ce transistor de puissance est idéal pour les applications qui exigent durabilité et fiabilité sous contrainte continue. Sa conformité à la directive RoHS et son placage au plomb sans halogène renforcent encore son adéquation avec les conceptions respectueuses de l'environnement, offrant aux fabricants une tranquillité d'esprit sur un marché concurrentiel.
Performance de commutation exceptionnelle pour la gestion de l'énergie
fiabilité testée à 100 % en avalanche
Faible résistance thermique pour une dissipation efficace de la chaleur
Driver de niveau logique pour une interface de microcontrôleur facile
Plombage sans plomb pour le respect de l'environnement
Performances constantes dans une large gamme de températures
Optimisé pour les applications à grande vitesse
Prise en charge de courants nominaux d'impulsion élevés
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