MOSFET P Infineon -22 A 150 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 OptiMOS Power Transistor
- Code commande RS:
- 284-785
- Référence fabricant:
- ISC16DP15LMATMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 284-785
- Référence fabricant:
- ISC16DP15LMATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -22A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Série | OptiMOS Power Transistor | |
| Type de Boitier | PG-TDSON-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 160mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 188W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id -22A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Série OptiMOS Power Transistor | ||
Type de Boitier PG-TDSON-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 160mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 188W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET d'Infineon est doté d'un transistor de puissance OptiMOS conçu pour offrir des performances exceptionnelles pour une gamme d'applications industrielles. Avec son architecture de canal P avancée et sa construction robuste, il garantit la fiabilité même dans des conditions exigeantes. Avec une tension de claquage de 150 V, ce transistor est conçu pour gérer efficacement des tensions importantes. Sa faible résistance à l'enclenchement contribue à améliorer l'efficacité, ce qui en fait un composant précieux dans les systèmes de gestion de l'énergie. En s'alignant sur les normes de conformité RoHS, ce transistor souligne encore son engagement en faveur de la durabilité environnementale, ce qui en fait un excellent choix pour les projets avant-gardistes.
Très faible résistance pour plus d'efficacité
fiabilité testée à 100 % en avalanche
Compatibilité avec les entraînements de portes logiques
L'excellente performance thermique réduit la chaleur
Conformité RoHS pour le respect de l'environnement
Qualifié selon les normes JEDEC pour la fiabilité
Conception compacte pour des configurations adaptables
Placage au plomb sans halogène pour la sécurité de l'environnement
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