MOSFET canal N Infineon 62 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor

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Code commande RS:
285-060
Référence fabricant:
ISZ106N12LM6ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

62A

Tension Drain Source maximum Vds

120V

Type de Boitier

PG-TSDSON-8

Série

OptiMOS 6 Power Transistor

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

10.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

94W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

Le MOSFET d'Infineon est un transistor de puissance qui se distingue dans les applications de haute performance, conçu pour répondre aux besoins des systèmes électroniques modernes. Sa technologie de canal N avancée fournit un rendement et une fiabilité remarquables, ce qui le rend idéal pour les opérations de commutation haute fréquence. Conçu pour les professionnels sur le terrain, ce produit combine une faible résistance à l'enclenchement avec des caractéristiques de charge de grille supérieures. Il s'agit donc d'un choix approprié pour le redressement synchrone et les applications industrielles.

Une très faible résistance augmente l'efficacité

Optimisé pour la commutation à haute fréquence

Fiabilité grâce à un indice d'énergie d'avalanche élevé

Excellent tarif de porte pour une réponse rapide

Placage au plomb sans plomb pour la conformité

Fonctionne de 55°C à 175°C

MSL 1 classée pour la facilité de fabrication

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