Transistor de puissance canal N Infineon 128 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8 ISZ
- Code commande RS:
- 348-902
- Référence fabricant:
- ISZ028N03LF2SATMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,10 € | 11,00 € |
| 100 - 240 | 1,045 € | 10,45 € |
| 250 - 490 | 0,968 € | 9,68 € |
| 500 - 990 | 0,89 € | 8,90 € |
| 1000 + | 0,857 € | 8,57 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 348-902
- Référence fabricant:
- ISZ028N03LF2SATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | Transistor de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 128A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | PG-TSDSON-8 | |
| Série | ISZ | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 83W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 21nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit Transistor de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 128A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier PG-TSDSON-8 | ||
Série ISZ | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 83W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 21nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance StrongIRFET 2 d'Infineon 30 V en boîtier PQFN 3,3 x 3,3. Il présente un RDS(on) de 2,8 mOhms, le meilleur de sa catégorie, dans un boîtier PQFN 3,3 x 3,3. Ce produit répond à une large gamme d'applications allant de la basse à la haute fréquence de commutation. Par rapport à la technologie précédente, il permet d'améliorer le RDS(on) de 40 % tout en améliorant le facteur de mérite (FOM) de 60 % et en offrant une excellente robustesse.
Produits à usage général
Excellente robustesse
Rapport prix/performance supérieur
Large disponibilité chez les distributeurs
Boîtiers standard et brochage
Normes de fabrication et d'approvisionnement élevées
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