MOSFET canal N Infineon 63 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8 ISZ

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Code commande RS:
349-154
Référence fabricant:
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

63A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

PG-TSDSON-8

Série

ISZ

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

11.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

23nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

100W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY
Le FET linéaire OptiMOS d'Infineon est une approche révolutionnaire qui résout le compromis entre la résistance à l'état passant et la capacité en mode linéaire. Associé au boîtier PQFN 3,3x3,3 à faible coût et peu encombrant, il est destiné au démarrage progressif et à la limitation du courant dans les applications Power over Ethernet (PoE).

Large zone de fonctionnement sûre

Faible RDS(on)

Courant d'impulsion max. élevé

Courant continu max. élevé

Disponible dans un petit boîtier peu encombrant

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