MOSFET canal N Infineon 72 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8 ISZ
- Code commande RS:
- 348-900
- Référence fabricant:
- ISZ056N03LF2SATMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (20 unités, dans un pack de 20)*
15,46 €
HT
18,56 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 5 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,773 € | 15,46 € |
| 200 - 480 | 0,735 € | 14,70 € |
| 500 - 980 | 0,68 € | 13,60 € |
| 1000 - 1980 | 0,627 € | 12,54 € |
| 2000 + | 0,603 € | 12,06 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 348-900
- Référence fabricant:
- ISZ056N03LF2SATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 72A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | ISZ | |
| Type de Boitier | PG-TSDSON-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 7.4nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 52W | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 72A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série ISZ | ||
Type de Boitier PG-TSDSON-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 7.4nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 52W | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance StrongIRFET 2 d'Infineon 30 V en boîtier PQFN 3,3 x 3,3. La technologie MOSFET de puissance StrongIRFET 2 30 V d'Infineon présente un RDS(on) de 5,6 mOhms, le meilleur de sa catégorie, dans un boîtier PQFN 3,3 x 3,3. Ce produit répond à une large gamme d'applications allant de la basse à la haute fréquence de commutation.
Produits à usage général
Excellente robustesse
Rapport prix/performance supérieur
Large disponibilité chez les distributeurs
Boîtiers standard et brochage
Normes de fabrication et d'approvisionnement élevées
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 63 A 100 V Enrichissement PG-TSDSON-8 ISZ
- MOSFET canal N Infineon 40 A 30 V Enrichissement PG-TSDSON-8FL ISZ
- Transistor de puissance canal N Infineon 128 A 30 V Enrichissement PG-TSDSON-8 ISZ
- Transistor de puissance canal N Infineon 109 A 30 V Enrichissement PG-TSDSON-8 ISZ
- MOSFET de puissance OptiMOSTM canal N Infineon 40 A 30 V Enrichissement PG-TSDSON-8FL ISZ
- Transistor de puissance canal N Infineon 54 A 135 V Enrichissement PG-TSDSON-8FL ISZ
- Transistor de puissance canal N Infineon 26 A 200 V Enrichissement PG-TSDSON-8FL ISZ
- MOSFET canal N Infineon 11.3 A 200 V Enrichissement PG-TSDSON-8 BSZ12DN20NS3 G