MOSFET canal N Infineon 11.3 A 200 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8 BSZ12DN20NS3 G

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Code commande RS:
273-5249
Référence fabricant:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

11.3A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Type de Boitier

PG-TSDSON-8

Série

BSZ12DN20NS3 G

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

50W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.5nC

Tension directe Vf

1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

IEC61249-2-21, JEDEC1

Largeur

40mm

Longueur

40mm

Hauteur

1.5mm

Standard automobile

Non

Le MOSFET d'Infineon est un MOSFET de puissance à canal N. Ce transistor MOSFET est doté d'une excellente charge de grille. Il est qualifié conformément à la norme JEDEC pour les applications cibles et la température d'utilisation de 150 degrés Celsius. Il s'agit d'une conversion c.c.-c.c. optimisée.

Sans halogène

Conforme à la directive RoHS

Placage de plomb sans plomb

Très faible résistance sous tension

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