MOSFET Tranche Igbt 3 canal Type P Infineon Épuisement, EasyPIM FB50R07W2E3_B23 Non

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Code commande RS:
348-972
Référence fabricant:
FB50R07W2E3B23BOMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Série

FB50R07W2E3_B23

Type de Boitier

EasyPIM

Type de montage

Borne à vis

Mode de canal

Épuisement

Tension directe Vf

1.95V

Dissipation de puissance maximum Pd

20mW

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Configuration du transistor

Tranche Igbt 3

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

IEC 60747, 60749, 60068

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE
L'étage PFC entrelacée EasyPIM 2B d'Infineon 650 V, 50 A intègre un redresseur, une PFC à deux canaux et un étage onduleur dans un seul module compact, offrant ainsi une solution peu encombrante pour les applications de puissance. Conçu avec une très faible inductance parasite, il assure une perte de puissance minimale et une efficacité de commutation améliorée. La technologie H5 à haute vitesse améliore l'étage PFC, offrant une plus grande efficacité et des temps de réponse plus rapides. Ce module prend en charge des fréquences de commutation plus élevées, jusqu'à 50 kHz, pour l'étage PFC, ce qui permet d'améliorer les performances dans les applications exigeantes. Le Trenchstop IGBT 3 et les diodes 3 contrôlées par l'émetteur améliorent encore la fiabilité et l'efficacité opérationnelle.

Conception compacte avec boîtier Easy 2B

Meilleur rapport coût/performances permettant de réduire les coûts du système

Permet un fonctionnement à haute fréquence et des besoins de refroidissement réduits

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