Références fabricant

MOSFET 1 canal Type P, Type N Double Infineon 4.7 A 55 V Épuisement, 8 broches, SO-8 IRF7343PbF Non

Code commande RS:: 170-2265
Référence fabricant:: IRF7343TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET 1 canal Type P, Type N Double Infineon 4.7 A 55 V Épuisement, 8 broches, SO-8 IRF7343PbF Non

Sous-total (4000 unités, sur une bobine de 4000)*

1 580,00 €

1 896,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
4000 +	0,395 €	1 580,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 170-2265
Référence fabricant:: IRF7343TRPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P, Type N
	Courant continu de Drain maximum Id	4.7A
	Tension Drain Source maximum Vds	55V
	Série	IRF7343PbF
	Type de Boitier	SO-8
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	170mΩ
	Mode de canal	Épuisement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	24nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	2W
	Tension directe Vf	0.96V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Configuration du transistor	Double
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	5mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	4mm
	Hauteur	1.5mm
	Nombre d'éléments par circuit	1
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P, Type N
	Courant continu de Drain maximum Id 4.7A
	Tension Drain Source maximum Vds 55V
	Série IRF7343PbF
	Type de Boitier SO-8
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 170mΩ
	Mode de canal Épuisement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 24nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 2W
	Tension directe Vf 0.96V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Configuration du transistor Double
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 5mm
	Normes/homologations No
	Largeur 4mm
	Hauteur 1.5mm
	Nombre d'éléments par circuit 1
	Standard automobile Non

Datasheet

Non conforme RoHS

Infineon IRF7343 est un transistor MOSFET de puissance HEXFET à canal N et P double 55 V dans un boîtier SO-8.

Conforme à la directive RoHS

Faible RDS(on)

Valeur nominale dv/dt dynamique

Commutation rapide

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