MOSFET Infineon canal N/P, SO-8 3,4 A, 4,7 A 55 V, 8 broches

Les transistors de puissance MOSFET doubles d'Infineon intègrent deux dispositifs HEXFET® pour fournir des solutions de commutation permettant un gain de place et qui soient rentables dans les conceptions à haute densité de composants dans lesquelles l'espace disponible sur la carte constitue un facteur primordial. Une grande variété d'options de boîtier est disponible et les concepteurs peuvent choisir la configuration à canal N/P double.

Avantages :
Faible RDS(on)
Puissance nominale dv/dt dynamique
Commutation rapide
Double transistor MOSFET à canal N et P

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.