MOSFET canal N Infineon 70 A 1.2 kV Enrichissement, 4 broches, PG-TO-247-4-U02 CoolSiC
- Code commande RS:
- 349-115
- Référence fabricant:
- IMZA120R030M1HXKSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 349-115
- Référence fabricant:
- IMZA120R030M1HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 70A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | PG-TO-247-4-U02 | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 56mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 18V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 68nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 273W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 70A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier PG-TO-247-4-U02 | ||
Série CoolSiC | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 56mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 18V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 68nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 273W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET CoolSiC SiC d'Infineon en boîtier TO-247-4 repose sur un processus de semi-conducteur en tranchée de pointe, optimisé pour combiner performances et fiabilité. Par rapport aux commutateurs traditionnels à base de silicium (Si) tels que les IGBT et les MOSFET, le MOSFET SiC offre toute une série d'avantages. Il s'agit notamment des niveaux de charge de grille et de capacité de dispositif les plus bas observés dans les commutateurs de 1200 V, de l'absence de pertes de récupération inverse de la diode de corps de commutation interne, de faibles pertes de commutation indépendantes de la température et d'une caractéristique d'état passant sans seuil.
Meilleures pertes de commutation et de conduction de sa catégorie
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