MOSFET canal N Infineon 13 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSON-8 IGLR65
- Code commande RS:
- 351-876
- Référence fabricant:
- IGLR65R140D2XUMA1
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 351-876
- Référence fabricant:
- IGLR65R140D2XUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PG-TSON-8 | |
| Série | IGLR65 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.17Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 47W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | JEDEC for Industrial Applications | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PG-TSON-8 | ||
Série IGLR65 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.17Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 47W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations JEDEC for Industrial Applications | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le transistor de puissance GaN d'Infineon permet d'augmenter l'efficacité à haute fréquence. Faisant partie de la gamme CoolGaN 650 V G5, il répond aux normes de qualité les plus élevées, permettant des conceptions très fiables avec une efficacité supérieure. Logé dans un boîtier ThinPAK refroidi par le bas, il est bien adapté aux applications grand public et industrielles avec des facteurs de forme fins.
Transistor de puissance en mode électronique 650 V
Commutation ultra-rapide
Pas de charge de récupération inverse
Capable de conduction inverse
Faible charge de grille, faible charge de sortie
Robustesse supérieure de la commutation
Faible dynamique RDS(on)
Résistance élevée aux décharges électrostatiques : HBM 2 kV - CDM 1 kV
Boîtier refroidi par le bas
Homologation JEDEC (JESD47, JESD22)
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