MOSFET canal N Infineon 13 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 IGT65
- Code commande RS:
- 351-965
- Référence fabricant:
- IGT65R140D2ATMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
18,18 €
HT
21,82 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 1 990 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,636 € | 18,18 € |
| 50 - 95 | 3,454 € | 17,27 € |
| 100 + | 3,202 € | 16,01 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 351-965
- Référence fabricant:
- IGT65R140D2ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8 | |
| Série | IGT65 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.17Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 47W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | JEDEC for Industrial Applications | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8 | ||
Série IGT65 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.17Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 47W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations JEDEC for Industrial Applications | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le CoolGaN d'Infineon est un transistor à nitrure de gallium (GaN) très efficace conçu pour la conversion de puissance. Il permet d'augmenter la densité de puissance, de réduire le coût de la nomenclature du système et de faciliter la miniaturisation des facteurs de forme. Produite à l'aide de la technologie des plaquettes et de chaînes de production entièrement automatisées, ce produit se caractérise par des tolérances de production étroites et une qualité produit irréprochable. Il convient donc à un large éventail d'applications, de l'électronique grand public aux applications industrielles.
Transistor à mode d'amélioration
Commutation ultra rapide
Pas de charge de récupération inverse
Capable de conduction inverse
Faible charge de grille et de sortie
Robustesse supérieure de la commutation
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 70 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 IGT65
- MOSFET N Infineon 31 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 IGT65
- MOSFET N Infineon 38 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 IGT65
- MOSFET N Infineon 26 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC
- MOSFET N Infineon 142 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- MOSFET N Infineon 196 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- MOSFET N Infineon 61 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- MOSFET N Infineon 50 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1