MOSFET canal N Infineon 70 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 IGT65
- Code commande RS:
- 351-969
- Référence fabricant:
- IGT65R025D2ATMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
11,78 €
HT
14,14 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 1 945 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 11,78 € |
| 10 - 99 | 10,60 € |
| 100 + | 9,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 351-969
- Référence fabricant:
- IGT65R025D2ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 70A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8 | |
| Série | IGT65 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.03Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 236W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 11nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | JEDEC for Industrial Applications | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 70A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8 | ||
Série IGT65 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.03Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 236W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 11nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations JEDEC for Industrial Applications | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistor MOSFET Infineon série IGT65, tension de source de drain de 650 V, courant de drain continu de 70 A - IGT65R025D2ATMA1
Ce MOSFET est un transistor de commutation haute tension conçu pour les environnements industriels exigeants. Il fonctionne sur une plage de températures étendue et est fourni dans un boîtier à montage en surface adapté aux cartes compactes. Le dispositif est destiné à la conversion de puissance et aux rôles de commutation où une haute tolérance de tension et une gestion robuste du courant continu sont nécessaires.
Caractéristiques et avantages :
• Résistance au drain de 650 V pour les applications de commutation haute tension
• Capacité de drainage continu de 70 A pour une manipulation de charge soutenue
• Rds(on) de 0.03 Ω pour des pertes de conduction réduites
• Dissipation de puissance maximale de 236 W pour l'encombrement thermique
• Charge de grille typique de 11 nC pour des transitions de commutation plus rapides
• Valeur nominale de la grille de 10 V compatible avec les tensions de commande de grille standard
• Capacité de drainage continu de 70 A pour une manipulation de charge soutenue
• Rds(on) de 0.03 Ω pour des pertes de conduction réduites
• Dissipation de puissance maximale de 236 W pour l'encombrement thermique
• Charge de grille typique de 11 nC pour des transitions de commutation plus rapides
• Valeur nominale de la grille de 10 V compatible avec les tensions de commande de grille standard
Applications
• Idéal pour les alimentations à découpage et les onduleurs industriels
• Convient aux étapes de commande de moteur dans les systèmes haute tension
• Utilisé avec des convertisseurs c.c.-c.c. haute tension pour la conversion d'énergie
• Peut être utilisé pour les topologies à commutation difficile dans l'électronique de puissance
• Adapté à la distribution d'énergie de télécommunications et aux alimentations auxiliaires
• Convient aux étapes de commande de moteur dans les systèmes haute tension
• Utilisé avec des convertisseurs c.c.-c.c. haute tension pour la conversion d'énergie
• Peut être utilisé pour les topologies à commutation difficile dans l'électronique de puissance
• Adapté à la distribution d'énergie de télécommunications et aux alimentations auxiliaires
Quel type de boîtier est utilisé et comment affecte-t-il l'assemblage de carte?
Le dispositif est fourni dans un boîtier à montage en surface PG-HSOF-8 qui facilite la soudure par refusion automatisée et les configurations de circuits imprimés compactes tout en fournissant plusieurs câbles thermiques et électriques.
Quelles sont les considérations relatives à l'entraînement de grille à prendre en compte pour un fonctionnement fiable?
Gardez l'entraînement de la grille à ±10 V et fournissez un chemin de retour à faible impédance pour minimiser les transitoires de commutation et garantir une temporisation prévisible de l'activation et de l'extinction.
Comment la plage de température influence-t-elle les emplacements?
La plage de fonctionnement nominale de -55 °C à 150 °C permet le placement dans les boîtiers industriels à démarrage à froid et à haute température sans réduire la capacité de commutation de base.
Quelles sont les stratégies de gestion thermique recommandées pour un fonctionnement continu?
Utilisez une zone de cuivre adéquate ou un dissipateur thermique dédié sous le boîtier, assurez-vous de bonnes voies thermiques pour le circuit imprimé, et prenez en compte le débit d'air pour maintenir les températures de jonction dans des limites de sécurité.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 31 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 IGT65
- MOSFET N Infineon 38 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 IGT65
- MOSFET N Infineon 13 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 IGT65
- MOSFET N Infineon 26 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC
- MOSFET N Infineon 142 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- MOSFET N Infineon 196 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- MOSFET N Infineon 61 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- MOSFET N Infineon 50 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1