MOSFET canal N Infineon 31 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 IGT65
- Code commande RS:
- 351-966
- Référence fabricant:
- IGT65R055D2ATMA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|
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| 500 - 999 | 5,80 € |
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- Code commande RS:
- 351-966
- Référence fabricant:
- IGT65R055D2ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 31A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8 | |
| Série | IGT65 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.066Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -10V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 106W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | JEDEC for Industrial Applications | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 31A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8 | ||
Série IGT65 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.066Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -10V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 106W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations JEDEC for Industrial Applications | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le CoolGaN d'Infineon est un transistor à nitrure de gallium (GaN) très efficace conçu pour la conversion de puissance. Il permet d'augmenter la densité de puissance, de réduire le coût de la nomenclature du système et de faciliter la miniaturisation des facteurs de forme. Produite à l'aide de la technologie des plaquettes et de chaînes de production entièrement automatisées, ce produit se caractérise par des tolérances de production étroites et une qualité produit irréprochable. Il convient donc à un large éventail d'applications, de l'électronique grand public aux applications industrielles.
Transistor à mode d'amélioration
Commutation ultra rapide
Pas de charge de récupération inverse
Capable de conduction inverse
Faible charge de grille et de sortie
Robustesse supérieure de la commutation
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