MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 397 A 60 V Enrichissement, 6 broches, H2PAK STH
- Code commande RS:
- 719-655
- Référence fabricant:
- STH345N6F7-6
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
7,37 €
HT
8,84 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 300 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,37 € |
| 10 - 99 | 4,96 € |
| 100 - 499 | 3,64 € |
| 500 - 999 | 2,94 € |
| 1000 + | 2,16 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 719-655
- Référence fabricant:
- STH345N6F7-6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 397A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | H2PAK | |
| Série | STH | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 230nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 341W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.7mm | |
| Longueur | 9.3mm | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 397A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier H2PAK | ||
Série STH | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 230nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 341W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.7mm | ||
Longueur 9.3mm | ||
Largeur 10.4mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure de grille en tranchée améliorée qui se traduit par une très faible résistance à l'état sous tension, tout en réduisant la capacité interne et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
L'un des RDS(on) les plus bas du marché
Excellent FoM (figure du mérite)
Faible rapport Crss/Ciss pour une immunité EMI
Haute résistance aux avalanches
Nos clients ont également consulté
- MOSFET de puissance N STMicroelectronics 397 A 60 V Enrichissement H2PAK STH
- MOSFET de puissance N STMicroelectronics 397 A 60 V Enrichissement H2PAK-2 STH
- MOSFET de puissance N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement H2PAK-7 Sct
- MOSFET N STMicroelectronics 180 A 100 V Enrichissement H2PAK STripFET H7
- MOSFET N STMicroelectronics 55 A 30 V Enrichissement HU3PAK STH AEC-Q101
- MOSFET N STMicroelectronics 45 A 650 V Enrichissement H2PAK
- MOSFET N STMicroelectronics 20 A 1200 V Enrichissement H2PAK-2 SiC MOSFET
- MOSFET N STMicroelectronics 2.5 A 1500 V Enrichissement H2PAK MDmesh