MOSFET P Vishay -8 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 SQ4917CEY AEC-Q101

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Code commande RS:
735-121
Référence fabricant:
SQ4917CEY-T1_BE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Canal P

Courant continu de Drain maximum Id

-8A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SO-8

Série

SQ4917CEY

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.048Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

41nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

6.8W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

5mm

Largeur

6.2mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
DE
Le MOSFET de puissance Vishay offre de hautes performances dans les applications automobiles, offrant des configurations robustes à double canal P qui gèrent des tensions jusqu'à 60 V et des températures jusqu'à 175 °C.

La technologie TrenchFET garantit une faible résistance à l'état passant

Offre un courant de drainage continu maximal de -8 A par jambe

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