MOSFET canal N Vishay 100 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 SiR
- Code commande RS:
- 735-131
- Référence fabricant:
- SIR512DP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
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|---|---|
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- Code commande RS:
- 735-131
- Référence fabricant:
- SIR512DP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8 | |
| Série | SiR | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0045Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 96.2W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 100V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 41nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 6mm | |
| Hauteur | 2mm | |
| Longueur | 7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8 | ||
Série SiR | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0045Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 96.2W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 100V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 41nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 6mm | ||
Hauteur 2mm | ||
Longueur 7mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance TrenchFET Gen V à canal N de Vishay est conçu pour une gestion efficace de l'alimentation dans les solutions de serveur IA et les applications à courant élevé. Il fournit une capacité de tension drain-source de 100 V avec une faible résistance à l'état passant de 4,5 mΩ à l'entraînement de la grille de 10 V pour une perte de puissance minimale.
Courant de drainage continu de 00 A à TC = 25 °C
Puissance dissipée nominale de 96,2 W
Plage de températures d'utilisation de -55 à +150 °C
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