MOSFET canal N Vishay 359 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 SiR

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Code commande RS:
735-137
Référence fabricant:
SIRS4600DP-T1-RE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

359A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

PowerPAK SO-8

Série

SiR

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.00115Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

278W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

108nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

60V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

5mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

6mm

Hauteur

2mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est évalué pour une tension drain-source de 60 V. Il est conçu pour la commutation à très faible perte dans les applications de serveur d'alimentation d'IA et les convertisseurs c. c./c. c. à courant élevé. Il est doté d'une résistance à l'état passant de 1,2 mΩ maximum à une commande de grille de 10 V pour maximiser l'efficacité dans les topologies de redressement synchrone.

Courant de drain continu de 334 A à TC = 25 °C

Faible valeur RDS(on) x Qg pour une efficacité de commutation optimale

Testé à 100 % Rg et UIS pour plus de fiabilité

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