MOSFET de puissance canal N Infineon 52 A 25 V Enrichissement, 4 broches, TO-247-4 CoolSiC

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Code commande RS:
762-927
Référence fabricant:
IMZC140R038M2HXKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

52A

Tension Drain Source maximum Vds

25V

Type de Boitier

TO-247-4

Série

CoolSiC

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

38mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

41nC

Dissipation de puissance maximum Pd

242W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

5.1mm

Longueur

23.5mm

Largeur

16mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET SiC G2 CoolSiC 1 400 V d'Infineon est un MOSFET en carbure de silicium avec la technologie d'interconnexion .XT. Il utilise la technologie d'interconnexion .XT pour les meilleures performances thermiques de sa catégorie et une diode de corps robuste pour la commutation dure.

Fonctionnement à haute température

Adapté à la commutation dure

Gestion thermique fiable

Performances améliorées

Rendement accru

Commande de grille optimisée

Adapté à l'électronique de puissance

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