MOSFET de puissance canal N Infineon 65 A 1.4 kV Enrichissement, 4 broches, TO-247-4 CoolSiC
- Code commande RS:
- 762-926
- Référence fabricant:
- IMZC140R029M2HXKSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 762-926
- Référence fabricant:
- IMZC140R029M2HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 65A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.4kV | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de Boitier | TO-247-4 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 29mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 288W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 54nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 16mm | |
| Longueur | 23.5mm | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 65A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.4kV | ||
Série CoolSiC | ||
Type de Boitier TO-247-4 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 29mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 288W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 54nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 16mm | ||
Longueur 23.5mm | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET SiC G2 CoolSiC 1 400 V d'Infineon est un MOSFET en carbure de silicium avec la technologie d'interconnexion .XT. Il utilise la technologie d'interconnexion .XT pour les meilleures performances thermiques de sa catégorie et une diode de corps robuste pour la commutation dure.
Fonctionnement à haute température
Adapté à la commutation dure
Gestion thermique fiable
Performances améliorées
Rendement accru
Commande de grille optimisée
Adapté à l'électronique de puissance
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