MOSFET de puissance canal N Infineon 74 A 1.4 kV Enrichissement, 4 broches, TO-247-4 CoolSiC
- Code commande RS:
- 762-925
- Référence fabricant:
- IMZC140R024M2HXKSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 762-925
- Référence fabricant:
- IMZC140R024M2HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 74A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.4kV | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de Boitier | TO-247-4 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 24mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 330W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 62nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Longueur | 23.5mm | |
| Largeur | 16mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 74A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.4kV | ||
Série CoolSiC | ||
Type de Boitier TO-247-4 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 24mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 330W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 62nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Longueur 23.5mm | ||
Largeur 16mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET SiC G2 CoolSiC 1 400 V d'Infineon est un MOSFET en carbure de silicium avec la technologie d'interconnexion .XT. Il utilise la technologie d'interconnexion .XT pour les meilleures performances thermiques de sa catégorie et une diode de corps robuste pour la commutation dure.
Fonctionnement à haute température
Adapté à la commutation dure
Gestion thermique fiable
Performances améliorées
Rendement accru
Commande de grille optimisée
Adapté à l'électronique de puissance
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