MOSFET canal N ROHM 12 A 40 V, 8 broches, HSMT AEC-Q101

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780-667
Référence fabricant:
RQ3G120BKFRATCB
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

HSMT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

28mΩ

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

40W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Hauteur

900μm

Longueur

3.3mm

Largeur

3.1mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le MOSFET de puissance de ROHM offre une commutation à canal N hautes performances pour la gestion de l'alimentation automobile. Cet appareil robuste est conçu pour les systèmes ADAS et d'info-divertissement, garantissant des performances efficaces dans les environnements de véhicules exigeants jusqu'à 150 °C.

Tension drain-source de 40 V

Courant de drainage continu de 12 A

Résistance à l'état passant typique de 17,4 mOhm à 10 V

Puissance dissipée élevée de 40 W

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