MOSFET canal N ROHM 12 A 100 V, 8 broches, HSMT AEC-Q101

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780-680
Référence fabricant:
RQ3P120BLFRATCB
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

HSMT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

83mΩ

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.8nC

Dissipation de puissance maximum Pd

40W

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

900μm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Largeur

3.1mm

Longueur

3.3mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le MOSFET de puissance de ROHM offre une commutation à canal N hautes performances pour la gestion de l'alimentation automobile. Cet appareil certifié AEC-Q101 est conçu pour les systèmes ADAS et d'info-divertissement, garantissant un fonctionnement efficace dans un encombrement compact de 3,2 mm x 3 mm.

Tension drain-source de 100 V

Courant de drainage continu de 12 A

Puissance dissipée élevée de 40 W

Boîtier compact HSMT8AG pour montage en surface

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