MOSFET canal N Vishay 361 A 80 V N, 8 broches, PowerPAK 10 x 12 TrenchFET Gen IV
- Code commande RS:
- 790-429
- Référence fabricant:
- SIJK4810-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 790-429
- Référence fabricant:
- SIJK4810-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 361A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 10 x 12 | |
| Série | TrenchFET Gen IV | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0018Ω | |
| Mode de canal | N | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 446W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 160nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 10mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 12mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 361A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier PowerPAK 10 x 12 | ||
Série TrenchFET Gen IV | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0018Ω | ||
Mode de canal N | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 446W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 160nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 10mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 12mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour une gestion efficace de l'énergie dans diverses applications. Il est doté d'une technologie Advanced TrenchFET Gen IV qui réduit les pertes de conduction et améliore les performances globales.
Fonctionne avec une tension drain-source jusqu'à 80 V
Fournit une faible résistance à l'état passant de 0,0018 Ω à une tension de la source de la grille de 10 V
Conçu pour un courant de drainage continu de 361 A
Connexion à la source Kelvin pour minimiser le bruit de la grille
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