MOSFETs simples canal N Vishay 352 A 80 V Mode d'amélioration, 8 broches, PowerPAK (8x8LR) TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 847-933
- Référence fabricant:
- SQJQ580ER-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 847-933
- Référence fabricant:
- SQJQ580ER-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 352A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | PowerPAK (8x8LR) | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.00144Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 93nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS3 Compliant | |
| Longueur | 8mm | |
| Hauteur | 1.6mm | |
| Largeur | 8mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 352A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier PowerPAK (8x8LR) | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.00144Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 93nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS3 Compliant | ||
Longueur 8mm | ||
Hauteur 1.6mm | ||
Largeur 8mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N automobile de Vishay fournit une commutation efficace et haute performance pour une grande variété d'applications exigeantes, garantissant la fiabilité dans des conditions extrêmes.
La technologie TrenchFET Gen V garantit une efficacité et des performances accrues
Qualifié AEC-Q101 pour les applications automobiles, garantissant la conformité aux normes industrielles
Courant de drainage continu assigné à 352 A dans des conditions standard
Le profil mince de 1,9 mm maximise l'efficacité de l'espace dans les conceptions
Testé à 100 % pour R et UIS, garantissant un fonctionnement fiable
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