MOSFET de puissance canal N Vishay 375 A 60 V Mode d'amélioration, 8 broches, PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 851-494
- Référence fabricant:
- SQJQ580E-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 851-494
- Référence fabricant:
- SQJQ580E-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 375A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 101nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 5mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 6mm | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 Qualified | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 375A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 101nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 5mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 6mm | ||
Normes/homologations AEC-Q101 Qualified | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le transistor MOSFET automobile de Vishay est un dispositif à canal N automobile conçu pour une gestion fiable de l'alimentation. Il excelle dans des conditions de haute température, garantissant des performances efficaces dans diverses applications dans le secteur automobile.
La technologie TrenchFET Gen V améliore le rendement énergétique
Qualifié AEC-Q101 pour des normes automobiles strictes
La tension maximale drain-source de 80 V garantit un fonctionnement robuste
Faible résistance à l'état passant pour des performances efficaces
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