MOSFET de puissance canal N Vishay 375 A 60 V Mode d'amélioration, 8 broches, PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 851-492
- Référence fabricant:
- SQRS160ELP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 1 unité)*
3,53 €
HT
4,24 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 05 mai 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,53 € |
| 10 - 99 | 2,30 € |
| 100 - 499 | 1,68 € |
| 500 - 999 | 1,40 € |
| 1000 + | 1,31 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 851-492
- Référence fabricant:
- SQRS160ELP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 375A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 101nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 5mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 6mm | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 Qualified | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 375A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 101nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 5mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 6mm | ||
Normes/homologations AEC-Q101 Qualified | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le transistor MOSFET automobile de Vishay offre des performances robustes pour les applications à haut rendement, conçues pour fournir des capacités de commutation et une fiabilité supérieures dans les environnements automobiles exigeants.
La configuration du canal N prend en charge les applications à courant élevé
La technologie TrenchFET Gen IV améliore l'efficacité et les performances thermiques
Qualifié AEC-Q101 pour les normes de sécurité et de fiabilité automobile
La faible résistance à l'état passant garantit une perte de puissance minimale pendant le fonctionnement
Nos clients ont également consulté
- MOSFET de puissance N Vishay 375 A 60 V Mode d'amélioration PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- MOSFETs simples N Vishay 352 A 80 V Mode d'amélioration PowerPAK (8x8LR) TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay 18 A 100 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay 18 A 60 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay 189 A 150 V Enrichissement PowerPAK (8x8LR) TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay 701 A 40 V Enrichissement PowerPAK (8x8L) TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay 363 A 60 V Enrichissement PowerPAK (8x8LR) TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay 18 A 40 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET AEC-Q101