MOSFET N Vishay 36 A 1.2 kV Enrichissement, 4 broches, TO-247AD MXP120A

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Code commande RS:
847-940
Référence fabricant:
MXP120A160SL-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Canal N

Courant continu de Drain maximum Id

36A

Tension Drain Source maximum Vds

1.2kV

Série

MXP120A

Type de Boitier

TO-247AD

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

160mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

22V

Tension directe Vf

4.7V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

25nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

109W

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

5.21mm

Longueur

23.6mm

Largeur

16.13mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET SiC à canal N de Vishay offre un haut rendement et des performances rapides, ce qui le rend idéal pour les applications exigeantes dans les systèmes de gestion de l'alimentation et de contrôle de l'énergie.

La vitesse de commutation rapide optimise les performances globales du système

Le temps de résistance aux courts-circuits de 2,5 μs améliore la fiabilité

Conçu pour une tension maximale drain-source de 1 200 V, il garantit un fonctionnement robuste

L'intensité nominale de drain continu de 18 A répond à des exigences opérationnelles étendues

La résistance à l'état passant minimale mesurée à 160 mOhm réduit la perte d'énergie

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