MOSFET N Vishay 61 A 1.2 kV Enrichissement, 4 broches, TO-247AD MXP120A
- Code commande RS:
- 847-941
- Référence fabricant:
- MXP120A250SE-T1GE3
- Marque:
- Vishay
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 10 de plus pour économiser 23,90 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
6,30 €
HT
7,56 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 04 juin 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 6,30 € | - |
| 10 - 49 | 3,91 € | 23,90 € |
| 50 - 99 | 2,36 € | 197,00 € |
| 100 + | 2,32 € | 398,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 847-941
- Référence fabricant:
- MXP120A250SE-T1GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Canal N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 61A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Série | MXP120A | |
| Type de Boitier | TO-247AD | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 250mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 109W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Tension directe Vf | 4.7V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 23.6mm | |
| Hauteur | 5.21mm | |
| Largeur | 16.13mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 61A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Série MXP120A | ||
Type de Boitier TO-247AD | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 250mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 109W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Tension directe Vf 4.7V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 23.6mm | ||
Hauteur 5.21mm | ||
Largeur 16.13mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Les transistors MOSFET à canal N de Vishay sont conçus pour des applications de commutation efficaces, garantissant un fonctionnement fiable dans des environnements exigeants.
La vitesse de commutation rapide améliore l'efficacité du système
Le temps de résistance aux courts-circuits de 2.5 μs augmente la fiabilité de l'appareil
La dissipation de puissance maximale de 85 W permet des applications hautes performances
La capacité de tension drain-source de 1 200 V assure un fonctionnement robuste
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Vishay 36 A 1.2 kV Enrichissement TO-247AD MXP120A
- MOSFET canal N Vishay 29 A 1.2 kV Enrichissement TO-247AD 3L MXP120A
- MOSFET canal N Vishay 31 A 1.2 kV N TO-247AD MaxSiC
- MOSFET canal N Vishay 41 A 1.2 kV N TO-247AD MaxSiC
- MOSFET canal N Vishay 51 A 1.2 kV N TO-247AD 3L MXP
- MOSFET canal N Vishay 41 A 1.2 kV N TO-247AD MaxSiC AEC-Q101
- MOSFET canal N Vishay 31 A 1.2 kV N TO-247AD MaxSiC AEC-Q101
- MOSFET canal N Vishay 32 A 1.2 kV N TO-263-7L MaxSiC