MOSFET canal N Vishay 41 A 1.2 kV N, 4 broches, TO-247AD MaxSiC

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Code commande RS:
790-415
Référence fabricant:
MXP120A063SL-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

41A

Tension Drain Source maximum Vds

1.2kV

Série

MaxSiC

Type de Boitier

TO-247AD

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

79mΩ

Mode de canal

N

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

22V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

61nC

Dissipation de puissance maximum Pd

205W

Tension directe Vf

4.8V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

16.13mm

Longueur

23.6mm

Hauteur

5.21mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET SiC à canal N 1 200 V de Vishay est conçu pour les applications de puissance haute performance, offrant efficacité, vitesse et fiabilité. Sa conception avancée garantit un fonctionnement robuste dans des conditions exigeantes tout en respectant l'environnement.

La vitesse de commutation rapide améliore l'efficacité de la conversion de puissance

Le temps de résistance aux courts-circuits de 3 μs augmente la fiabilité de l'appareil

La faible résistance à l'état passant de 63 mΩ à 25 °C minimise la perte d'énergie

Les tensions nominales élevées de jusqu'à 1 200 V permettent des applications polyvalentes

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