MOSFET canal N Vishay 41 A 1200 V N, 4 broches, TO-247AD MaxSiC
- Code commande RS:
- 790-415
- Référence fabricant:
- MXP120A063SL-GE3
- Marque:
- Vishay
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|---|---|
| 1 - 9 | 9,96 € |
| 10 - 99 | 6,38 € |
| 100 - 599 | 5,54 € |
| 600 - 1199 | 4,99 € |
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- Code commande RS:
- 790-415
- Référence fabricant:
- MXP120A063SL-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 41A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | TO-247AD | |
| Série | MaxSiC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 79mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 205W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 61nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 4.8V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 16.13mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 5.21mm | |
| Longueur | 23.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 41A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier TO-247AD | ||
Série MaxSiC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 79mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 205W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 61nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 4.8V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 16.13mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 5.21mm | ||
Longueur 23.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET SiC à canal N 1 200 V de Vishay est conçu pour les applications de puissance haute performance, offrant efficacité, vitesse et fiabilité. Sa conception avancée garantit un fonctionnement robuste dans des conditions exigeantes tout en respectant l'environnement.
La vitesse de commutation rapide améliore l'efficacité de la conversion de puissance
Le temps de résistance aux courts-circuits de 3 μs augmente la fiabilité de l'appareil
La faible résistance à l'état passant de 63 mΩ à 25 °C minimise la perte d'énergie
Les tensions nominales élevées de jusqu'à 1 200 V permettent des applications polyvalentes
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