MOSFET canal N Vishay 41 A 1200 V N, 7 broches, TO-263-7L MaxSiC
- Code commande RS:
- 790-412
- Référence fabricant:
- MXP120A063SE-T1GE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
8,94 €
HT
10,73 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 05 avril 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,94 € |
| 10 - 99 | 6,50 € |
| 100 - 499 | 5,41 € |
| 500 - 799 | 4,82 € |
| 800 + | 4,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 790-412
- Référence fabricant:
- MXP120A063SE-T1GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 41A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | TO-263-7L | |
| Série | MaxSiC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 79mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 58nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 221W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Tension directe Vf | 4.8V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 10.28mm | |
| Longueur | 9.23mm | |
| Hauteur | 4.5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 41A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier TO-263-7L | ||
Série MaxSiC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 79mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 58nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 221W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Tension directe Vf 4.8V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 10.28mm | ||
Longueur 9.23mm | ||
Hauteur 4.5mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TW
Le MOSFET SiC à canal N haute performance de Vishay est conçu pour une gestion efficace de l'énergie dans les applications exigeantes. Il excelle dans sa capacité à gérer les hautes tensions et à garantir un fonctionnement fiable.
La vitesse de commutation rapide améliore les performances globales du système
Le temps de résistance aux courts-circuits de 3 μs garantit la fiabilité en cas de défaillances
La plage de tension de fonctionnement pour la commande de la source de la grille optimise la flexibilité
La capacité de courant de drainage continu permet un transfert d'énergie robuste
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Vishay 32 A 1200 V N TO-263-7L MaxSiC
- MOSFET N Vishay 52 A 1200 V N TO-263-7L MaxSiC AEC-Q101
- Semi-conducteur de puissance N Vishay 52 A 1200 V N TO-263-7L MXP
- MOSFET N Vishay 41 A 1200 V N TO-247AD MaxSiC
- MOSFET N Vishay 41 A 1200 V N TO-247AD MaxSiC AEC-Q101
- MOSFET N Vishay 31 A 1200 V N TO-247AD MaxSiC
- MOSFET N Vishay 150 A 100 V Enrichissement TO-263-7L SUM
- MOSFET N Vishay 31 A 1200 V N TO-247AD MaxSiC AEC-Q101