MOSFET canal N Vishay 52 A 1200 V N, 7 broches, TO-263-7L MaxSiC AEC-Q101

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Code commande RS:
790-411
Référence fabricant:
MXPQ120A045SE-1GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

52A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de Boitier

TO-263-7L

Série

MaxSiC

Type de montage

En surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

45mΩ

Mode de canal

N

Charge de porte typique Qg @ Vgs

82nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

268W

Tension directe Vf

4.9V

Tension maximale de source de la grille Vgs

22V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Largeur

10.28mm

Hauteur

4.5mm

Longueur

9.23mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
TW
Le transistor MOSFET SiC à canal N 1 200 V de Vishay est conçu pour les applications de puissance exigeantes, combinant vitesse, fiabilité et conformité. Sa construction avancée garantit des performances efficaces tout en respectant des normes automobiles et environnementales strictes.

Qualifié AEC-Q101 pour une fiabilité de niveau automobile

Vitesse de commutation rapide pour une meilleure efficacité

Sans halogène pour une utilisation plus sûre et plus respectueuse de l'environnement

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