MOSFET canal N Vishay 32 A 1200 V N, 7 broches, TO-263-7L MaxSiC

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Code commande RS:
790-413
Référence fabricant:
MXP120A080SE-T1GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

32A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de Boitier

TO-263-7L

Série

MaxSiC

Type de montage

En surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

100mΩ

Mode de canal

N

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

47nC

Dissipation de puissance maximum Pd

185W

Tension maximale de source de la grille Vgs

22V

Tension directe Vf

4.7V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

10.28mm

Longueur

9.23mm

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

4.5mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TW
Le transistor MOSFET à canal N haute performance de Vishay est conçu pour une conversion d'énergie efficace dans les applications exigeantes, avec des capacités de commutation avancées et des caractéristiques opérationnelles robustes.

La vitesse de commutation rapide améliore les performances globales du système

Le temps de résistance aux courts-circuits de 3 μs améliore la fiabilité

La tension de source de la porte de -10 à +22 V permet un fonctionnement flexible

Le courant de drainage continu de 32 A garantit un fonctionnement efficace

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