MOSFET canal N Vishay 31 A 1200 V N, 4 broches, TO-247AD MaxSiC AEC-Q101

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Code commande RS:
790-417
Référence fabricant:
MXPQ120A080SL-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

31A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Série

MaxSiC

Type de Boitier

TO-247AD

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

100mΩ

Mode de canal

N

Dissipation de puissance maximum Pd

174W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

61nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

22V

Tension directe Vf

4.7V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

23.6mm

Normes/homologations

RoHS

Largeur

16.13mm

Hauteur

5.21mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET SiC à canal N haute performance de Vishay est conçu pour des applications de commutation de puissance efficaces, garantissant des performances et une fiabilité optimales dans vos systèmes.

La vitesse de commutation rapide améliore l'efficacité globale du système

Le temps de résistance aux courts-circuits de 3 μs fournit une protection robuste

La qualification AEC-Q101 pour les applications automobiles garantit la fiabilité

La faible résistance à l'état passant minimise la perte de puissance pendant le fonctionnement

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