Transistor de puissance canal N Infineon 50 A 30 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS 3

Code commande RS:: 130-0923
Référence fabricant:: IPP055N03LGXKSA1
Marque:: Infineon

Transistor de puissance canal N Infineon 50 A 30 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS 3

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

Code commande RS:: 130-0923
Référence fabricant:: IPP055N03LGXKSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	Transistor de puissance
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	50A
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Type de Boitier	TO-220
	Série	OptiMOS 3
	Type de montage	En surface, Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	5.5mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	68W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	31nC
	Tension directe Vf	1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	IEC61249-2-21, JEDEC (J-STD20, JESD22), RoHS
	Largeur	4.57mm
	Longueur	10.36mm
	Hauteur	15.95mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit Transistor de puissance
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 50A
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Type de Boitier TO-220
	Série OptiMOS 3
	Type de montage En surface, Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 5.5mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 68W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 31nC
	Tension directe Vf 1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations IEC61249-2-21, JEDEC (J-STD20, JESD22), RoHS
	Largeur 4.57mm
	Longueur 10.36mm
	Hauteur 15.95mm
	Standard automobile Non

IPP055N03L G, IPB055N03L G, MOSFET OptiMOS 3 Power-Transistor

Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 50A Maximum Continuous Drain Current, 30V Maximum Drain Source Voltage - IPP055N03LGXKSA1

Ce MOSFET haute performance est conçu pour diverses applications électroniques, y compris les systèmes de gestion de l'énergie. Il est doté d'un boîtier TO-220 à trou traversant, mesurant 10,36 mm x 4,57 mm x 15,95 mm. Spécifiquement adapté aux industries de l'automatisation et de l'électricité, cet appareil garantit des performances optimales dans des conditions rigoureuses.

Caractéristiques et avantages

• La capacité de commutation rapide améliore l'efficacité des applications de puissance

• La faible résistance du drain-source minimise la perte de puissance pendant le fonctionnement

• Classé Avalanche pour une meilleure résistance à l'effort

• La conception à canal N de niveau logique permet la compatibilité avec les variateurs à basse tension

• Le courant de vidange continu maximal de 50 A permet de répondre aux besoins les plus exigeants

Applications

• Utilisé pour la conversion DC/DC dans les alimentations

• Idéal pour le redressement synchrone dans les convertisseurs à haut rendement

• Facilite le contrôle des moteurs dans les systèmes d'automatisation industrielle

• Utilisé dans les systèmes de gestion de la batterie des véhicules électriques

• Convient à l'électronique grand public et aux énergies renouvelables

Quelle est l'importance de son faible RDS(on) dans les applications de puissance ?

Un faible RDS(on) réduit la chute de tension à l'état passant, ce qui diminue directement la production de chaleur et améliore l'efficacité. Ceci est crucial pour maintenir les performances dans les applications à courant élevé, en veillant à ce que moins d'énergie soit gaspillée sous forme de chaleur.

Comment ce MOSFET supporte-t-il les températures élevées pendant son fonctionnement ?

Avec une température de fonctionnement maximale de +175 °C, il présente des caractéristiques thermiques robustes qui lui permettent de fonctionner de manière fiable dans des environnements difficiles sans compromettre les performances.

Quels types d'applications peuvent bénéficier de la conception de transistors à mode d'amélioration ?

Les transistors à mode amélioré sont largement utilisés dans les applications de commutation car ils offrent un excellent contrôle sur le flux de courant, ce qui les rend idéaux pour des solutions efficaces de gestion de l'énergie. Ils sont notamment utilisés dans les alimentations électriques et les moteurs à courant continu.