Transistor de puissance canal N Infineon 120 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS 5
- Code commande RS:
- 110-7116
- Référence fabricant:
- IPP023N10N5AKSA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 110-7116
- Référence fabricant:
- IPP023N10N5AKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | Transistor de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | OptiMOS 5 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 168nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS, Pb-Free, JEDEC (J-STD20 and JESD22) | |
| Largeur | 4.57mm | |
| Longueur | 10.36mm | |
| Hauteur | 15.95mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit Transistor de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série OptiMOS 5 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 168nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS, Pb-Free, JEDEC (J-STD20 and JESD22) | ||
Largeur 4.57mm | ||
Longueur 10.36mm | ||
Hauteur 15.95mm | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS non applicable
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Nos clients ont également consulté
- Transistor de puissance canal N Infineon 120 A 100 V Enrichissement TO-220 OptiMOS 5
- Transistor de puissance P Infineon 120 A 40 V Enrichissement TO-220 OptiMOS P AEC
- Transistor de puissance canal N Infineon 50 A 30 V Enrichissement TO-220 OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 120 A 120 V Enrichissement TO-220 OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 120 A 80 V Enrichissement TO-220 OptiMOS
- Transistor de puissance P Infineon 120 A 40 V Enrichissement TO-263 OptiMOS P AEC-Q
- MOSFET canal N Infineon 120 A 60 V Enrichissement TO-220 OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 120 A 60 V Enrichissement TO-220 OptiMOS 5